Owners Manual

Technologies et composants
Ce chapitre décrit les technologies et les composants disponibles dans le système.
DDR4
La mémoire DDR4 (double débit de données de quatrième génération) est la technologie qui succède aux mémoires DDR2
et DDR3. Plus rapide que ses prédécesseurs, elle prend en charge jusqu’à 512 Go par rapport à la capacité maximale de la
mémoire DDR3 de 128 Go par DIMM. La mémoire vive dynamique synchrone DDR4 est munie d’un détrompeur différent de celui
des modules SDRAM et DDR de manière à empêcher l’installation du mauvais type de mémoire dans le système.
La mémoire DDR4 nécessite une tension de 1,2 V, soit 20 % de moins que la technologie DDR3 qui nécessite une tension de
1,5 V. La mémoire DDR4 prend également en charge un nouveau mode de veille profonde qui permet à l’appareil hôte de se
mettre en veille sans nécessiter d’actualiser sa mémoire. Le mode de veille profonde devrait réduire la consommation électrique
en mode veille de 40 à 50 %.
Détails du module DDR4
Les différences entre les modules de mémoire DDR3 et DDR4 sont indiquées ci-dessous.
Différence d’encoche du détrompeur
L’encoche du détrompeur du module DDR4 ne se trouve pas au même endroit que sur le module DDR3. Les deux encoches sont
situées sur le bord d’insertion, mais sur le module DDR4, l’encoche ne se trouve pas tout à fait au même niveau afin d’éviter
d’installer le module sur une carte mère incompatible.
Figure 1. Différences des encoches
Épaisseur supérieure
Les modules DDR4 sont légèrement plus épais que les modules DDR3 de manière à accueillir davantage de couches de signaux.
Figure 2. Différence d’épaisseur
Bord incurvé
Les modules DDR4 présentent un bord incurvé pour en faciliter l’insertion et soulager les contraintes sur la carte pendant
l’installation de la mémoire.
2
Technologies et composants 11