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36 存储控制器功能
记忆周期完成的时间框架
记忆周期完成的时间框架与电池充电量和所使用的充 / 放电电流有关。对
于 PERC H700 或 H800 插卡，预期记忆周期完成的时间期限约为七小时，
由以下部分组成：
• 记忆周期放电：大约三个小时
• 记忆周期充电：大约四个小时
注 : 有关其他信息，请参阅 OpenManage Storage Management 应用程序。
在记忆周期的放电阶段，将禁用 PERC H700 或 H800 电池充电器，并且
在电池放电完毕前一直保持禁用。电池放电完毕后，将重新启用充电器。
巡检读取
巡检读取功能设计为预防性措施，用于确保物理磁盘正常运行和数据完整
性。巡检读取可以扫描并解决所配置的物理磁盘上的潜在问题。 Dell
OpenManage Storage Management 应用程序可用于启动巡检读取和更改其
行为。
以下是巡检读取行为的概览：
• 对于配置为虚拟磁盘 （包括热备用）的一部分的控制器，巡检读取可
以在其所有磁盘上运行。
• 巡检读取 不能在不是虚拟磁盘一部分的物理磁盘或处于 Ready
（就绪） 状态的物理磁盘上运行。
• 巡检读取根据未决磁盘 I/O 调整专门用于巡检读取操作的控制器资源
量。例如，如果系统正忙于处理
I/O 操作，则巡检读取将使用较少的
资源，以使
I/O 获得更高的优先权。
• 巡检读取不能在正在执行以下任何操作的磁盘上运行：
– 重建
– Replace Member （更换成员）
– 完全初始化或后台初始化
–CC
–RLM 或 OCE
注 : 在默认情况下，在已配置的 SAS 和 SATA 硬盘驱动器上，巡检读取每七天
自动运行一次。巡检读取在 SSD 上是没有必要的，默认情况下处于禁用状态。