Users Guide

28 存储控制器功能
4 退出 BIOS 配置公用程序并重新引导系统。
5 确保为 PERC H700 或 H800 插卡安装了所有最新的驱动程序
（
support.dell.com 上提供了这些驱动程序）。有关详情，请参阅第 63
页上的 “驱动程序安装”。
虚拟磁盘写入高速缓存策略
虚拟磁盘的写入高速缓存策略决定控制器如何写入该虚拟磁盘。回写式和
直写式是两种写入高速缓存策略，并且可以分别在虚拟磁盘上进行设置。
所有 RAID 卷均对操作系统 （Windows 和 Linux）显示为直写式 (WT)，
而与虚拟磁盘的实际写入高速缓存策略无关。 PERC 插卡管理独立于操作
系统或任何应用程序的高速缓存中的数据。使用 OpenManage 或 BIOS 配
置公用程序查看和管理虚拟磁盘高速缓存设置。
回写式和直写式
采用 Write-Through （直写式）高速缓存时，当磁盘子系统已接收到事务
处理中的所有数据时，控制器会向主机系统发送数据传输完成信号。
采用 Write-Back （回写式）高速缓存时，当控制器高速缓存已接收到事
务处理中的所有数据时，控制器向主机发送数据传输完成信号。然后，控
制器将高速缓存数据以后台方式写入存储柜。
使用回写式高速缓存的风险是，如果在将高速缓存数据写入存储柜之前电
源出现故障，则高速缓存数据可能会丢失。在 PERC H700 或 H800 插卡
上使用 .BBU 会降低该风险。有关支持 BBU 的控制器的信息，请参阅
表 3-1。
回写式
高速缓存的性能优于直写式高速缓存。
注 : 虚拟磁盘的默认高速缓存设置为回写式高速缓存。
注 : 某些数据样式和配置采用直写式高速缓存策略时能够获得更好的性能。
采用回写式策略的情况
在有电池且电池情况良好的所有情况下，使用回写式高速缓存。
采用直写式策略的情况
在没有电池或电池电量低的所有情况下，使用直写式高速缓存。低电量状
态是指在断电的情况下，电池无法将数据保持至少 24 小时。该低电量状
态不适用于带有可选 非易失性高速缓存 (NVC) 模块的控制器。