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儲存控制器功能 33
若 PERC H800 卡故障，整個 TBBU/TNVC 模組可安全地移轉至新的
PERC H800 卡，而不需冒險處理保留的快取資料。如需卸下與安裝
TBBU/TNVC 的說明，請參閱 第 35 頁上的 「安裝與組態硬體」 中合適的
章節，然後遵循上述恢復快取資料的說明進行。
電池記憶週期
記憶週期為電池校正作業，由控制器定期進行以確定電池狀況。無法停用
此項作業。
註 : 當電池電量因記憶週期而變低時，虛擬磁碟即自動切換至 Write-Through
( 寫入 ) 模式。
記憶週期完成時間範圍
記憶週期完成時間範圍，為電池充電容量與使用之放電 / 充電電流的功
能。如果使用 H700 或 H800，則記憶週期預計完成的時間範圍約為 7 小
時，並包括以下部分：
• 記憶週期放電：約 3 小時
• 記憶週期充電：約 4 小時
註 : 關於其他資訊，請參閱 Dell OpenManage 儲存管理應用程式。
進行記憶週期放電階段時即停用 PERC H700 或 H800 電池充電器，並在
電池放電完成仍保持停用。電池放電後，充電器即重新啟用。
巡查讀取
巡查讀取功能為一預防措施，可確保實體磁碟的狀況正常與資料完整性。
巡查讀取可掃描並解決經組態實體磁碟上的潛在問題。OpenManage 儲存
管理應用程式可用於啟動巡查讀取，並變更其行為模式。
以下為巡查讀取的行為模式概觀：
• 巡查讀取 在控制器上設定為虛擬磁碟一部分的所有磁碟上執行，包括
熱備援磁碟。
• 巡查讀取 不會在並非屬於虛擬磁碟的實體磁碟上或在未處於 就緒 狀態
的實體磁碟上執行。
• 巡查讀取 功能會依未完成的磁碟 I/O 調整專用於 巡查讀取 作業的控制
器資源數量。例如，若系統正忙著處理
I/O 作業， 巡查讀取 便會使用
較少資源，讓
I/O 佔用較高的優先順序。