Owners Manual
Procesador Conguración Ocupación de la memoria Información de ocupación de memoria
NOTA: Un número impar de módulos DIMM
resultará en conguraciones de memoria
desequilibradas, lo que resultará en una
pérdida de rendimiento. Se recomienda
ocupar todos los canales de memoria de
manera idéntica con DIMM idénticos para
obtener un mejor rendimiento.
El orden de ocupación del optimizador no es
tradicional para las instalaciones de 8 y 16 DIMM de
procesador doble.
• Para 8 módulos DIMM: A1, A2, A4, A5, B1, B2,
B4, B5
• Para 16 DIMM:
A1, A2, A4, A5, A7, A8, A10, A11
B1, B2, B4, B5, B7, B8, B10, B11
Orden de ocupación de
duplicación
A{1, 2, 3, 4, 5, 6},
B{1, 2, 3, 4, 5, 6},
A{7, 8, 9, 10, 11, 12},
B{7, 8, 9, 10, 11, 12}
La duplicación es compatible con 6 o 12 módulos
DIMM por procesador.
Orden de ocupación de
repuesto de rango único
A{1}, B{1},
A{2}, B{2},
A{3}, B{3},
A{4}, B{4},
A{5}, B{5},
A{6}, B{6}
• Los módulos DIMM se deben ocupar en el orden
especicado.
• Requiere dos o más rangos por canal.
Orden de ocupación de
repuesto de rango múltiple
A{1}, B{1},
A{2}, B{2},
A{3}, B{3},
A{4}, B{4},
A{5}, B{5},
A{6}, B{6}
• Los módulos DIMM se deben ocupar en el orden
especicado.
• Requiere tres rangos o más por canal.
Orden de ocupación
resistente a fallas
A{1, 2, 3, 4, 5, 6},
B{1, 2, 3, 4, 5, 6},
A{7, 8, 9, 10, 11, 12},
B{7, 8, 9, 10, 11, 12}
Compatible con 6 o 12 módulos DIMM por
procesador.
Procesador cuádruple
(la ocupación del
procesador 1, el
procesador 2, el
procesador 3 y el
procesador 4 deben
coincidir, comenzando
con el procesador 1)
Orden de ocupación
optimizado (canal
independiente)
A{1}, B{1}, C{1}, D{1},
A{2}, B{2}, C{2}, D{2},
A{3}, B{3} C{3}, D{3},
A{4}, B{4} C{4}, D{4}
Se permite ocupar un número impar de DIMM por
procesador.
NOTA: Un número impar de módulos DIMM
resultará en conguraciones de memoria
desequilibradas, lo que resultará en una
pérdida de rendimiento. Se recomienda
ocupar todos los canales de memoria de
manera idéntica con DIMM idénticos para
obtener un mejor rendimiento.
86 Instalación y extracción de los componentes del sistema