Owners Manual

一般内存模块安装原则
您的系统支持 Flexible Memory Configuration（灵活内存配置），使系统能够在任何有效芯片组结构配置中配置和运行。下面是建议
的内存模块安装原则：
● 基于 x4 和 x8 DRAM 的 DIMM 可以混用。有关更多信息，请参阅“模式特定原则”部分。
● 每个通道最多可填充两个双列或单列 RDIMM。
● 仅在安装了处理器的情况下填充 DIMM 插槽。对于单处理器系统，插槽 A1 至 A8 可用。对于双处理器系统，插槽 A1 至 A8 和插
槽 B1 至 B8 可用。
● 首先填充具有白色释放拉杆的所有插槽，然后再填充具有黑色释放拉杆的所有插槽。
● 当混合使用具有不同容量的内存模块时，先用具有最高容量的内存模块填充插槽。例如，如果要混用 4 GB 和 8 GB 的 DIMM，则
将 8 GB DIMM 填充在具有白色释放杆的插槽中，将 4 GB DIMM 填充在具有黑色释放杆的插槽中。
● 在双处理器配置中，前八个插槽中的每个处理器的内存配置应该相同。例如，如果填充处理器 1 的插槽 A1，则填充处理器 2 的插
槽 B1，以此类推。
● 如果遵循其他内存填充规则，则不同容量的内存模块可以混用（例如，4 GB 和 8 GB 内存模块可以混用）。
● 不支持在同一个系统中混合使用两个以上的 DIMM 容量。
● 每个处理器一次填充两个 DIMM（每个通道一个 DIMM）以最大化性能。
相关参考资料
模式特定原则 页面上的 60
模式特定原则
系统为每个处理器分配四个内存通道。所容许的配置取决于选取的内存模式。
注: 您可以混用基于 x4 DRAM 和 x8 DRAM 的 DIMM，以支持 RAS 功能。但是，必须遵循特定于 RAS 功能的所有原则。基于 x4
DRAM 的 DIMM 在内存优化（独立通道）模式下保留单设备数据校正 (SDDC)。基于 x8 DRAM 的 DIMM 需要使用高级 ECC 模式
才能获得 SDDC。
高级纠错代码
高级纠错代码 (ECC) 模式将 SDDC 从基于 x4 DRAM 的 DIMM 扩展到 x4 和 x8 DRAM。这样可防止正常操作期间单个 DRAM 芯片故
障。
内存模块的安装原则如下：
● 所有内存模块在大小、速度和技术上必须相同。
● 带有白色释放拉杆的内存插槽中安装的 DIMM 必须相同，相同规则适用于带黑色释放拉杆的插槽。这可确保相同 DIMM 以匹配对
安装 - 例如，A1 与 A2、A3 与 A4、A5 与 A6 等。
内存优化独立信道模式
此模式仅针对使用 x4 设备宽度的内存模块支持单设备数据纠正 (SDDC)，不会产生任何特定插槽填充要求。
内存备用
注: 要使用内存备用，必须在系统设置程序中启用此功能。
在此模式下，每个通道的一列保留作为备用列。如果在列上检测到持久可纠正错误，会将此列中的数据复制到备用列，并禁用出现
故障的列。
启用内存备用后，操作系统可用的系统内存将按每个通道减少一列。例如，在带十六个 4 GB 单列内存模块的双处理器配置中，可用
的系统内存是：3/4（列/通道） × 16（内存模块） × 4 GB = 48 GB，而不是 16（内存模块） × 4 GB = 64 GB。
注: 内存备用不提供针对多位不可纠正错误的保护。
注: 高级 ECC/锁步和优化器模式均支持内存备用。
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安装和卸下系统组件