Owners Manual

注: 您可以混用基于 x4 DRAM 和 x8 DRAM 的 DIMM，以支持 RAS 功能。但是，必须遵循特定于 RAS 功能的所有原则。基于

x4 DRAM 的 DIMM 在内存优化（独立通道）模式下保留单设备数据校正 (SDDC)。基于 x8 DRAM 的 DIMM 需要使用高级

ECC 模式才能获得 SDDC。

高级纠错代码 (lockstep)

高级纠错代码 (ECC) 模式将 SDDC 从基于 x4 DRAM 的 DIMM 扩展到 x4 和 x8 DRAM。这样可防止正常操作期间单个 DRAM 芯片出

现故障。

内存模块的安装原则如下：

• 所有内存模块在大小、速度和技术上必须相同。

• 安装在带有白色释放杆的内存插槽中的 DIMM 必须相同，并且相同的规则适用于带黑色和绿色释放卡舌的插槽。这可确保相同

DIMM 成对匹配安装 — 例如，A1 与 A2、A3 与 A4、A5 与 A6 等等。

内存优化（独立通道）模式

此模式仅针对使用 x4 设备宽度的内存模块支持单设备数据纠正 (SDDC)，不会产生任何特定插槽填充要求。

内存备用

注: 要使用内存备用，必须在系统设置程序中启用此功能。

在此模式下，每个通道一列保留作为备用列。如果在列上检测到持久可纠正错误，将此列中的数据复制到备用列，并禁用出现故障

的列。

如果启用内存备用，对操作系统可用的系统内存将每个通道减少一列。例如，在具有 16 个 4 GB 单列内存模块的双处理器配置中，

可用系统内存为：3/4（列/通道）× 16（内存模块）× 4 GB = 48 GB，而不是 16（内存模块）× 4 GB = 64 GB。

注: 内存备用不提供针对多位不可纠正错误的保护。

注: 高级 ECC/Lockstep 和优化器模式均支持内存备用。