Data Sheet

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
= ±15V, T
amb
=25
o
C (unless otherwise specified)
Symbol Parameter
LF151 - LF251 - LF351
Unit
Min. Typ. Max.
V
io
Input Offset Voltage (R
S
= 10kΩ)
T
amb
=25
o
C
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
310
13
mV
DV
io
Input Offset Voltage Drift 10 µV/
o
C
I
io
Input Offset Current *
T
amb
=25
o
C
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
5 100
4
pA
nA
I
ib
Input Bias Current *
T
amb
=25
o
C
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
20 200
20
pA
nA
A
vd
Large Signal Voltage Gain (R
L
=2kΩ,V
O
=±10V)
T
amb
=25
o
C
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
50
25
200
V/mV
SVR Supply Voltage Rejection Ratio (R
S
= 10kΩ)
T
amb
=25
o
C
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
80
80
86
dB
I
CC
Supply Current (no load)
T
amb
=25
o
C
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
1.4 3.4
3.4
mA
V
icm
Input Common Mode Voltage Range ±11 +15
-12
V
CMR Common Mode Rejection Ratio (R
S
= 10kΩ)
T
amb
=25
o
C
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
70
70
86
dB
Ios Output Short-circuit Current
T
amb
=25
o
C
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
10
10
40 60
60
mA
±V
OPP
Output Voltage Swing
T
amb
=25
o
CR
L
=2kΩ
R
L
= 10kΩ
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
R
L
=2kΩ
R
L
= 10kΩ
10
12
10
12
12
13.5
V
SR Slew Rate
(V
i
= 10V, R
L
=2kΩ, C
L
= 100pF, T
amb
=25
o
C, unity gain) 12 16
V/µs
t
r
Rise Time
(V
i
= 20mV, R
L
=2kΩ,C
L
= 100pF, T
amb
=25
o
C, unity gain) 0.1
µs
K
OV
Overshoot
(V
i
= 20mV, R
L
=2kΩ,C
L
= 100pF, T
amb
=25
o
C, unity gain) 10
%
GBP Gain Bandwidth Product
(f = 100kHz, T
amb
=25
o
C, V
in
= 10mV, R
L
=2kΩ,C
L
= 100pF) 2.5 4
MHz
R
i
Input Resistance 10
12
Ω
THD Total Harmonic Distortion (f = 1kHz, A
V
= 20dB, R
L
=2kΩ,
C
L
= 100pF, T
amb
=25
o
C, V
O
=2V
PP
) 0.01
%
e
n
Equivalent Input Noise Voltage (f = 1kHz, R
s
= 100Ω)15
nV
√Hz
∅m Phase Margin 45 Degrees
* The input bias currents are junction leakage currents which approximately double for every 10
o
C increase in the junction temperature.
LF151 - LF251 - LF351
3/9