User manual

Der NPN-Transistor wurde im ersten Versuch mit einer einfachen Grundschaltung
vorgestellt. Es muss ein Basisstrom fließen, damit ein Kollektorstrom möglich ist.
Ein ähnlicher Versuch mit dem MOSFET BS170 zeigt ein ganz anderes Verhalten.
Der MOSFET besitzt die drei Anschlüsse Gate (G), Source (S) und Drain (D). Der
gesteuerte Strom hängt diesmal nicht von einem Eingangsstrom ab, sondern von
der angelegten Spannung zwischen G und S. Wenn am Gate eine positive Span-
nung von etwa 2 V oder mehr anliegt, leitet der Transistor. Der Gate-Anschluss ist
völlig isoliert und bildet einen kleinen Kondensator mit etwa 60 pF. Ist das Gate
einmal aufgeladen, bleibt die Gate-Spannung deshalb lange bestehen.
Abb. 38: Grundschaltung des MOSFET
Verbinden Sie einmal kurz die Anschlüsse A und B, um das Gate aufzuladen. Die
LED geht an und bleibt an. Verbinden Sie die Kontakte C und D, um das Gate zu
entladen und die LED auszuschalten. Jeder der beiden möglichen Zustände bleibt
relativ lange erhalten. Der Versuch demonstriert damit die grundlegende
Arbeitsweise eines dynamischen Speichers, der ebenfalls eine elektrische Ladung
speichert, um Eins- und Nullzustände darzustellen. Zugleich ist die Schaltung ein
einfacher Berührungsschalter, denn die Berührung der Kontakte A und B bzw. C
und D hat dieselbe Wirkung wie ein direkter Kontakt.
Aber Achtung! Eine Gate-Spannung von mehr als 20 V ist nicht erlaubt und kann
zur Zerstörung des Transistors führen! Man muss daher vorsichtig mit elektrosta-
tischer Aufladung sein. Berühren Sie also immer zuerst einen Anschluss der
Betriebsspannung, um eventuelle Ladungen abzuleiten. Besondere Gefahr für den
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10031-1 Booklet 15.06.2010 16:16 Uhr Seite 28