User manual

rote Leitung kennzeichnet den Basisanschluss eines NPN-Transistors.
Dieses Verfahren funktioniert bei Silizium- und Germanium-Transistoren, allerdings nur bei Bipolar- und nicht bei
FET-Transistoren.
Den Schaltplan für dieses Experiment finden Sie in Kap. 3, Abb. 3.8.
2.4 Stromverstärkung eines Bipolar-Transistors bestimmen
Schaltung 9: B-Messung beim PNP-Transistor
Aufbauhinweise
Platzieren Sie den Transistor wie in Abb. 2.9 gezeigt. Daraufhin werden alle Widerstände eingesteckt. Schließlich kommen
die zwei Drahtbrücken an die Reihe. Dann wird das Drehspulmessgerät angeschlossen. Überprüfen Sie die Bestückung des
Steckboards erneut, und schließen Sie erst dann die Batterie an.
Benötigte Bauteile
1 x Transistor 2N3906,
1 x Widerstand 1 MOhm,
1 x Widerstand 220 Ohm,
1 x Widerstand 100 Ohm,
1 x Drehspulmessgerät,