Datasheet
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25
_
C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Emitter Breakdown Voltage
(1)
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
V
(BR)CEO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Leakage Current
(V
EB
= 80 Vdc, R
BE
= 1.0 k ohm)
(V
EB
= 80 Vdc, R
BE
= 1.0 k ohm, T
C
= 150
_
C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
I
CER
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
5.0
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Emitter Leakage Current
(V
CE
= 40 Vdc, I
B
= 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
I
CEO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
(1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (I
C
= 5.0 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Collector–Emitter Saturation Voltage (I
C
= 5.0 Adc, I
B
= 20 mAdc)
(I
C
= 10 Adc, I
B
= 50 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
V
CE(sat)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
4.0
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Emitter Voltage (I
C
= 5.0 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
BE(on)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
(1)
Pulse Test: Pulse Width
v
300 µs, Duty Cycle
v
2.0%.
Figure 2. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 10
h
FE
, DC CURRENT GAIN
T
J
= 150
°
C
25
°
C
–55
°
C
V
CE
= 3.0 Vdc
500
200
100
50,000
5000
20,000
2000
1000
10,000
5.0
Figure 3. Small–Signal Current Gain
f, FREQUENCY (Hz)
500
300
100
3000
h
FE
, SMALL–SIGNAL CURRENT GAIN
200
2000
1000
30
50
T
C
= 25
°
C
V
CE
= 3.0 Vdc
I
C
= 5.0 Adc
10
4
10
3
10
5
10
6
50
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 250
V, VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. “On” Voltages
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 250
T
J
= 25
°
C
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
0.01 0.2 0.50.05 1.0 2.0 105.0
3.5
2.5
2.0
1.5
1.0
0
SECONDARY BREAKDOWN LIMITED
THERMALLY LIMITED @ T
C
= 25
°
C
BONDING WIRE LIMITED
10
1.0
Figure 5. DC Safe Operating Area
7.0
2.0
10 20 100
T
J
= 200
°
C
0.2
3.0
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
CE
, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
5.0
30 70
1.0
0.1
2.0 503.0 5.0 7.0
0.5
3.0
0.10.02
0.7
0.3
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: junction temperature and secondary breakdown.
Safe operating area curves indicate I
C
– V
CE
limits of the
transistor that must be observed for reliable operation; e.g.,
the transistor must not be subjected to greater dissipation
than the curves indicate.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce
the power that can be handled to values less than the limita-
tions imposed by secondary breakdown.