User manual

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Mit diesem Brick werden separat belegte Kontakte in der Mitte gentrennt kon-
taktiert. Durch die Trennung und Überkreuzung der Leitungen können diese zum
Wechseln der Verbindungen genutzt werden. Oben und unten sind beide Mittel-
kontakte miteinander verbunden.
Inkremental Drehgeber. Solche Bausteine werden gerne bei Bedienteilen verwen-
det. Durch zwei phasenverschobene Kontakte lässt sich z.B. mit einem Prozessor
die Drehrichtung bestimmen. Wenn man auf den Knopf drückt wird zusätzlich ein
Tastkontakt geschlossen, mit dem man auch eine beliebige Aktion auslösen kann.
Je nach Bautyp werden pro Umdrehung ca. 18 bis 36 Kontaktvorgänge ausgelöst.
Ein Spezialbaustein, der für den Nano Brick bereit steht. Er besitzt zusätzlich zu
den Kontakten auf der oberen Ebene auch noch vier unabhängige Kontakte auf
der Unterseite der Platine. Diese werden dann an den Seiten auf die obere Ebene
geführt, dort können normale Bricks verwendet werden, um an die Signale heran-
zukommen.
Verlängert die vier Kontakte oben (inklusive der Masse an den Außenkontakten)
und die vier Kontakte auf der unteren Ebene, die unabhängig voneinander sind.
Unser Feldeffekt-Transistor steuert den Stromuss zwischen Drain und Source über
die am Gate angelegte Spannung. Das Besondere an diesem Bauelement ist, dass
die Verbindung zwischen Gate und Source sehr hochohmig ist. Feldeffekttransisto-
ren werden als „MOSFET“ (Metall-Oxid-Semileitender Feldeffekt-Transistor) be-
zeichnet oder kurz als „MOS“.
Es gibt unterschiedliche Arten von MOS, dieser ist ein normal sperrender n-Kanal.
Dies bedeutet, dass die Schwellspannung am Gate (Tor) anliegen muss, damit ein
Stromuss zwischen Drain (Abuss) und Source (Quelle) erfahren wird. Die Span-
nung muss am Gate positiv zur Source sein. Der MOSFET kann bis zu 60V Source
- Drain- Spannung vertragen und einen Spitzenstrom von 60A (nicht beides gleich-
zeitig versteht sich). Achtung. Die Kontakte des Brickssystems vertragen maximal
6.3A pro Kontakt. Der Gate-Eingang ist mit einer ESD 12V geschützt, sowie einem
Widerstand von 22kOhm.
Dieser Brick enthält einen npn-Transistor. Er steuert den Stromuss zwischen Kol-
lektor (C) und Emitter (E) über den wesentlich kleineren Strom an seinem Basisan-
schluss (B). Die Basis ist bei einem npn-Transistor gegenüber dem Emitter positiv
anzusteuern. Es ergibt sich eine Basisemitterspannung UBE von ca 0.7 Volt. Man
sollte dem Transistor nicht mehr als 500mA abverlangen, obwohl die Spitzenstrom-
stärke ca. 800mA ist, je nach Herstellermodell. Die Verlustleistung darf je nach
genauem Typ nicht mehr als 1/4 Watt betragen. Dies ist wichtig, wenn der Transis-
tor nicht als Schalter verwendet wird und einen hohen Spannungsabfall zwischen
Kollektor und Emitter hat.
Downsi de
UP
BC817
B
E
C
npn
45V
0,8A
B
G
S
D
n-MOS
IPD079N06L3
22k
100
Gate
ESD 12
max. 60V
50Apeak
Damit können Leitungen oder Bauteile befestigt und an die Schaltung
angeschlossen werden. Mit einem kleinen Schraubendreher
drückt man dazu auf den Schlitz oben. Es öffnet sich dann der Kontakt und die
Leitung kann seitlich davon eingeführt werden. Beim Loslassen des Schraubendre-
hers sitzt die Leitung fest.
Doppelte Kreuzung nicht verbunden Verbindet die jeweils gegenüberliegenden
Mittelkontakte einzeln. Im Zentrum sind die Leitungen isoliert.
A
B
Enter
10 k
Incremental Encoder