User manual

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Ein Reed-Kontaktschalter (Reed, englisch für dünnes Rohr) wird durch ein von außen
herangebrachtes Magnetfeld betätigt. Dieses Magnetfeld kann durch einen Dauer- oder
Elektromagneten erzeugt werden. Reedschalter haben eine geringe Eigenmagnetisierung.
Sie schalten immer dann, wenn das äußere Magnetfeld in gleicher Richtung addiert wird und
trennen, wenn es die Eigenmagnetisierung aufhebt, es entgegengesetzt gerichtet ist.
Sie nden als Näherungsschalter Verwendung.
Der Relais-Brick ist ein elektromagnetischer Schalter. Der Steuerstromkreis
und der Arbeitsstromkreis sind galvanisch getrennt. Die Mindestspannung
beträgt ca.5V bei einem Stromuss von 30mA. Ein Relais kann wesentlich
größere Ströme schalten als es zur Auslösung benötigt. Unser Relais kann
bis zu 1A schalten. In unserem Baustein ist zusätzlich ein Gleichrichter und
eine Stabilisierung eingebaut, so daß man das Relais auch bis zu 9V
betreiben kann und die Polung keine Rolle spielt. Eine LED signalisiert,
wenn das Relais angezogen ist.
Dieser Brick enthält einen npn-Transistor. Er steuert den Stromuss zwischen Kollektor (C)
und Emitter (E) über den wesentlich kleineren Stromuss an seinem Basiskontakt (B).
Der Basiskontakt ist dem Emitterkontakt gegenüber positiv anzusteuern. Das ist bei jedem
npn-Transistor gleich.
Achtung:
Transistoren können zerstört werden, wenn zwischen den Anschlüssen B (Basis) und E (Emitter) oder den Anschlüssen
C (Kollektor) und E direkt, ohne Widerstand, eine Spannung angelegt wird! Transistoren sind elektronische Schalter, die nicht wie ein
Lichtschalter, manuell betätigt werden, sondern durch einen Stromuss an ihrem B-Anschluss. Der geschaltete Stromuss ist dann
zwischen dem C- und E-Kontakt zu erfahren. Der geschaltete Stromuss (C zu E) darf eine Höhe von 0,8A nicht überschreiten, um eine
Zerstörung des Bauelementes zu vermeiden. Ein npn-Transistor ist dem Emitter gegenüber an seiner Basis positiv anzusteuern.
Dieser Brick enthält den gleichen npn-Transistor. Er steuert den Stromuss zwischen
Kollektor (C) und Emitter (E) über den wesentlich kleineren Stromuss an seinem Basiskon-
takt (B). Der Basiskontakt ist dem Emitterkontakt gegenüber positiv anzusteuern. Das ist bei
jedem npn-Transistor gleich.
Zusätzlich ist hier der Basiskontakt zur gegenüberliegenden Seite des Bricks durch verbun-
den, so dass er leichter in komplexe Schaltungen eingebracht werden kann.
Reed Relais
BC817
B
E
C
npn
45V
0,8A
3.8 Schalter und Transistoren
5-9V
30mA
Relais
1A
BC817
B
E
C
npn
45V
0,8A
B
Bei dem hier verwendeten pnp-Transistor steuert ein geringer Stromuss am Basiskontakt (B)
weit höhere Ströme zwischen Emitter- (E) und Kollektorkontakt (C). Die Basis muss (anders
als beim npn-Transistor) negativ zum Emitter angesteuert werden.
Der Phototransistor steuert den Kollektor-Emitter-Strom über die an seiner Basis angelegte
Spannung, wie ein konventioneller Transistor. Zusätzlich aber wird dieser Stromuss auch
ermöglicht, wenn ausreichend Licht auf den Transistor trifft. Er verhält sich so ähnlich wie ein
Photowiderstand, nur dass er die Widerstandsänderung durch seinen Verstärkungsfaktor
deutlicher macht.
Unser Feldeffekt Transitor steuert den Stromuss zwischen Drain und Source über die am
Gate angelegte Spannung. Das Besondere an diesem Bauelement ist, dass die Verbindung
zwischen Gate und Source sehr hochohmig ist. Feldeffekttransistoren werden als "MOSFET"
(Metall-Oxid-Semileitender Feldeffekttransistor) bezeichnet oder kurz als "MOS".
Es gibt unterschiedliche Arten von MOS, dieser ist ein normal sperrender n-Kanal.
Dies bedeutet, dass die Schwellspannung am Gate (Tor) anliegen muss, damit ein Stromuss
zwischen Drain (Abuss) und Source (Quelle) erfahren wird. Die Spannung muss am
Gatekontakt positiv zum Sourcekontakt sein.
Ein JFET (Junktion-Feldeffekt-Transistor) leitet ohne eine angelegte Spannung am Gatekon-
takt zwischen dem Source- und Drainkontakt. Er verhält sich solange wie ein ohmscher
Widerstand, bis die Abschnürspannung erreicht ist. Diese liegt bei ca. 2,5 Volt. Der Strom-
uss zwischen Drain und Source bleibt mit deren Erreichen konstant. Die Abschnürspannung
kann durch eine am Gatekontakt angelegte dem Sourcekontakt gegenüber negative
Spannung verringert werden, so dass eine Stromussbegrenzung variabel einstellbar ist.
BC807
B
E
C
pnp
BPX38
B
E
C
npn
Phototransistor
G
S
D
n-MOS
2N7002
G
G
S
D
J310 n-JFET
G