Datasheet

DATENBLATT
Technische Änderungen vorbehalten
Digitaler Temperaturwert
Messbereich –50 ... +150 °C / -58 ... +302 °F
Temp (°C) Temp (°F) Tsic 206 / 306
(digital)
-50 -58 0x000
-10 14 0x199
0 32 0x200
25 77 0x2FF
60 140 0x465
125 257 0x6FE
150 302 0x7FF
Absolute Grenzdaten
Parameter Min Max Einheit
Betriebsspannung (V+) -0,3 6,0 V
Spannung am Analog-
ausgang I/O –Pins
(V
INA
, V
OUTA
)
-0,3 V
DDA
+ 0,3 V
Lagertemperaturbereich -50 150 °C
Betriebsdaten
Parameter Min Typ Max Einheit
Betriebsspannung
1
2,97 5,0 5,5 V
Versorgungsstrom (I
V+
)
@ V+ = 3,3 V, RT
30 45 80 µA
Umgebungstemperatur-
bereich (T
amb
)
-50 -- 150 °C
Ausgangskapazität (C
L
) -- -- 15 nF
Externe Kapazität
zwischen V+ und Gnd
3
(C
V+
)
80 100 470 nF
Ausgangsleistungs-
widerstand zwischen
Signal und Gnd (or V+)
47 -- -- kW
1
Betrieb im Spannungsbereich von 2,7 ... 2,97 V ist mit reduzierter
Genauigkeitmöglich
3
DerAnschlussdesAbblockkondensatorsmusssonahealsmöglich
an den Anschlusspins des Bauteils erfolgen.
Temperaturgenauigkeit TSIC 206
Parameter Min Typ Max Einheit
T1: +10 ... 90 °C -0,5 0,5 °C
T2: -20 ... 110 °C -0,2 +0,4 0,95 °C
T3: -50 ... 150 °C 0 +0,9 2,0 °C
Genauigkeitsangabeals2σWertzuzüglich1digit
Quantisierungsfehler
Temperaturgenauigkeit TSIC 306
Parameter Min Typ Max Einheit
T1: +10 ... 90 °C -0,3 ±0,3 0,3 °C
T2: -20 ... 110 °C -0,2 +0,3 0,95 °C
T3: -50 ... 150 °C 0 +0,9 2,0 °C
Genauigkeitsangabeals2σWertzuzüglich1digitQuantisierungs-
fehler
SO8-Gehäuse
SO8 Gehäuse (150 mil, Standard SMT Technologie, SOIC-8) nach
IEC 191-2Q: Type 076E35 B
Pin Nr. Name Beschreibung
1 V+ Betriebsspannung (3 ... 5,5 V)
2 Signal Temperatur Ausgangssignal
4 Gnd Ground
3, 5 - 8 TP/NC Test Pin / NC (nicht verbinden)
TO92-Gehäuse
kleines THT Gehäuse, TO92 ähnlich
Pin Nr. Name Beschreibung
1 V+ Betriebsspannung (3 ... 5,5 V)
2 Signal Temperatur Ausgangssignal
3 Gnd Ground
TSIC™ Digitale Halbleiter-
temperatursensoren TSIC 206 / 306
B+B Thermo-Technik GmbH | Heinrich-Hertz-Straße 4 | D-78166 Donaueschingen
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