User Guide

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Chapter 3: UEFI BIOS 設定
Chapter 3
VTTDDR Voltage [Auto]
メモリーの終端電圧を設定します。
設定範囲は 0.6000V～1.0000Vで、0.0125V刻みで調節します。
DRAM CTRL REF Voltage [Auto]
メモリー制御の基準となる電圧の倍率を設定します。
設定範囲は0.3950x ~ 0.6300xで、0.0050x刻みで調節します。
DRAM CTRL REF Voltageを設定する際は、標準値の0.500000xに近い値を設定することをお
勧めします。
DRAM DATA REF Voltage on CHA/CHB [Auto]
メモリーチャンネルごとのデータ信号の基準電圧の倍率を設定します。
設定範囲は 0.3950x ~ 0.6300xで、0.0050x刻みで調節します。
DRAM DATA REF Voltageを設定する際は、標準値の0.500000xに近い値を設定することをお
勧めします。
Clock Crossing Boot Voltage [Auto]
CPUに供給されるベースクロック差動信号(D-)の立ち上がりエッジが、差動信号(D+)の立下りエッ
ジと交差する瞬間に供給されるブート電圧の増加量を設定します。
設定範囲は 0.1V～1.9Vで、0.00625V刻みで調節します。
Clock Crossing Reset Voltage [Auto]
CPUに供給されるベースクロック差動信号(D-)の立ち上がりエッジが、差動信号(D+)の立下りエッ
ジと交差する瞬間に供給されるリセット電圧の増加量を設定します。
設定範囲は 0.1V～1.9Vで、0.00625V刻みで調節します。
Clock Crossing Voltage [Auto]
CPUに供給されるベースクロック差動信号(D-)の立ち上がりエッジが、差動信号(D+)の立下りエッ
ジと交差する瞬間に供給される電圧の増加量を設定します。
設定範囲は 0.1V～1.9Vで、0.00625V刻みで調節します。
PLL Termination Voltage [Auto]
PLL (Phase Locked Loop) の終端電圧を設定します。
設定範囲は1.00000V～2.50000Vで、0.01250V刻みで調節します。
CPU Spread Spectrum [Auto]
動作周波数を変調させることで信号伝送時の電磁波を低減させ、通常動作時の動作を安定させ
るスペクトラム拡散機能の有効/無効を設定します。
* オーバークロック時には、この項目を[Disabled]に設定することで、システムの動作が安定する
場合があります。
[Auto] 自動設定します。
[Disabled] BCLK（ベースクロック）のオーバークロック性能を強化します。
[Enabled] EMI を制御します。