Specifications

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Chapter 3: UEFI BIOS 設定
Chapter 3
MISC
DRAM Eventual Voltage (CHA/CHB/CHC/CHD) [Auto]
DRAMの最終的な電圧を設定します。
設定範囲は 0.8V～1.9Vで、0.1V刻みで調節します。
DRAM CLK Period [Auto]
メモリーの動作周波数に合せたメモリーコントローラーの遅延時間を設定します。
設定オプション: [Auto] [1] – [19]
Memory Optimize Control [Auto]
メモリー制御最適化の有効/無効を設定します。
設定オプション: [Auto] [Enabled] [Disabled]
Enhanced Training (CHA/CHB/CHC/CHD) [Auto]
設定オプション: [Auto] [Enabled] [Disabled]
MemTest [Auto]
メモリーコントローラーの動作チェックに関する厳密さを設定します。
設定オプション: [Auto] [Enabled] [Disabled]
Attempt Fast Boot [Auto]
メモリーリファレンスコードのパーティションをスキップし起動速度を向上させる機能の有
効/無効を設定します。
設定オプション: [Auto] [Enabled] [Disabled]
Attempt Fast Cold Boot [Auto]
メモリーリファレンスコードのパーティションをスキップしコールブートの速度を向上させ
る機能の有効/無効を設定します。
設定オプション: [Auto] [Enabled] [Disabled]
DRAM Training [Auto]
DRAM側でのデータ入出力のタイミングがバス内で一致するように、メモリーコントローラ
側でタイミングを調整するメモリートレーニングの有効/無効を設定します。
設定オプション: [Auto] [Ignore] [Enabled]
External Digi+ Power Control
CPU Input Boot Voltage [Auto]
システム起動時のCPU用入力電圧(VCCIN)を設定します。
設定範囲は 0.800V～2.700Vで、0.010V刻みで調節します。
CPU Load-Line Calibration [Auto]
CPUへの供給電圧を調整します。高い値を設定することでオーバークロックの限界を引き
上げることができますが、CPUとVRMの発熱量は増加します。
設定オプション: [Auto] [Level 1] - [Level 9]
実際のパフォーマンスは取り付けられたCPUの仕様により異なります。
本項目の設定を変更する場合は、必ず適切な冷却装置を取り付けた上で行ってください。