Operating instructions
48
U4106
NT5TU32M16CG-25C
M8
M3
M7
N2
N8
N3
N7
P2
P8
P3
M2
P7
L2
L3
F3
B3
J2
K2
J8
K8
L8
K7
L7
K3 A2
AA1
G8
G2
H7
H3
H1
H9
F1
F9
C8
C2
D7
D3
D1
D9
B1
B9
F7
B7
R2
A3
A7
A1
E1
J9
C1
M9
R1
J1
A9
C3
C7
C9
E9
G1
G3
G7
G9
E3
J3
N1
P9
J7
B2
B8
D2
D8
E7
F2
F8
H2
H8
L1
K9
R3
R7
A8
E8
E2
R8
AA2
AA3
AA4
AA6
AA7
AA8
AA9
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
BA0
BA1
LDM
UDM
VREF
CKE
CK
CK#
CS
RAS
CAS
WE NC
NC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
LDQS
UDQS
A12
VSS
VSSQ
VDD
VDD
VDD
VDDQ
VDD
VDD
VDDL
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VSS
VSS
VSS
VSS
VSSDL
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
NC
ODT
NC
NC
UDQS
LDQS
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
MEM_D Q8
MEM_D Q12
MEM_C AS#
RDQ2
+
C5124
100uF 16V
FB4103
120R/3000mA
12
E32A22NDW3ACX B
<Title> A3
14 21Wednesday , June 30, 2010
715T4089
<
称爹
>
14: DDR1 MEMORY
G4089-M0G-000-0040-13-100531
OE M MOD EL Size
Rev
Date
Sheet
of
TPV MODEL
PCB NAME
称爹
T P V ( Top Victory Electronics Co . , Ltd. )
Key Component
絬
隔
瓜
絪
腹
C4109
100N 16V
RA11
MEM_D QM1
RA[12..0] 12
MEM_R A2
MEM_R A7
RDQ9
RDQ14
RDQ6
RDQM1 12
MEM_R A5
MEM_D Q11
MEM_C KE
RWE#
RP5102
22 OHM +-5% 1/16W
1
2
3
4
8
7
6
5
DDRV
SPISCK
13
MEM_R A12
+3V3_F
MT_SC L9,13,16
RDQ8
C4110
100N 16V
C4108
10uF 10V
C5114
100N 16V
SPI_SI13
MEM_R A9
Q4102
NC/PDTC114ET
MEM_D Q5
RBA1
R5114
22 OHM 1/16W
RBA0 12
MEM_RCLK0#
RA1
RA0
MEM_D Q10
R4146
1K 1/16W 1%
MEM_R A10
MEM_D QS1
MEM_D QM1
RCLK0 12
RDQ7
MEM_D QS0
MEM_D QS1
MEM_D Q9
RDQ3
RCLK0#
MEM_R A2
MEM_W E#
R4148
1K 1/16W 1%
MEM_R A12
MEM_D Q15
RCLK0# 12
MEM_D Q10
RDQ1
DDRV
RDQS0 12
C5113
100N 16V
DDRV
RDQ0
RRAS# 12
RCS# 12
MEM_D Q2
RDQM0 12
MEM_R A9
MEM_BA0
C5122
3N3 50V
MEM_R A1
RCS#
RDQ10
R4149
1K 1/16W 1%
RP5104
22 OHM +-5% 1/16W
1
2
3
4
8
7
6
5
SPI_CS#13
MEM_D Q15
MEM_R A0
RA6
RA7
RRAS#
RDQ4
MEM_D Q6
MEM_R A6
MEM_R A3
MEM_R A1
IIC ADRESS "A0"
MEM_R A8
MEM_VR EF
+3V3
MEM_D Q11
RCLK0
C5120
3N3 50V
MEM_D Q2
MEM_D Q13
MEM_R CLK 0
RDQM0
RP5103
22 OHM +-5% 1/16W
1
2
3
4
8
7
6
5
C5118
3N3 50V
R5113
22 OHM 1/16W
MEM_R A5
C5116
3N3 50V
+3V3_F
MEM_D Q0
RDQ11
RCKE
MEM_D Q14
MEM_D QS0
MEM_D Q13
MEM_R A0
RA9
MEM_R A8
MEM_D Q8
MEM_D Q6
C5121
3N3 50V
R4143
1K 1/16W
+3V3
RA12
MEM_C S#
C5111
4.7uF 10V
MEM_BA1
RDQ12
C5115
100N 16V
C4107
220N 25V
MEM_D Q7
RDQM1
U4105
MX25L6445EM2I-10G
1
2
3
4 5
6
7
8
CS#
SO/SIO1
WP#/SIO2
GND SI/SIO0
SCLK
NC/SIO3
VCC
RCAS#
MEM_BA0
RCAS# 12
MEM_C S#
MEM_D Q4
MEM_D Q3
MEM_C AS#
R4138
10K+-5%1/16W
MEM_R CLK0#
EEPROM_WP13
MEM_D Q12
R5111
100R 1/16W 1%
MEM_R AS#
R4142
10K 1/10W
RA2
RA10
R5112
22 OHM 1/16W
RA8
RDQS1
Q4101
PDTC114ET
MEM_D Q7
MEM_D Q3
RDQS0
MEM_R A7
MEM_R A11
MEM_D Q5
MEM_D Q14
RDQ13
RBA0
MEM_D Q4
MEM_W E#
MEM_D Q0
C5112
100N 16V
RDQ15
MEM_D Q1
RP5105
22 OHM +-5% 1/16W
1
2
3
4
8
7
6
5
DDRV
FLASH_WR#13
RDQ5
MEM_R A6
MEM_VR EF
MT_SD A9,13,16
RDQS1 12
SPI_SO
RA4
+3V3_F
RBA1 12
RCKE 12
MEM_D QM0
U4103
M24C64-WMN6P
1
2
3
45
6
7
8
E0
E1
E2
VSSSDA
SCL
WC
VCC
MEM_R AS#
MEM_R A11
MEM_R A10
MEM_R CLK0
R4139
10K1/16W
MEM_R A4
MEM_D Q9
MEM_D QM0
R4147
1Kohm 1/16W +/-1%(NC)
RWE# 12
R4141
47 OHM 1/16W
RA3
RDQ[15..0] 12
RA5
R4137
10K+-5%1/16W
RP5106
22 OHM +-5% 1/16W
1
2
3
4
8
7
6
5
MEM_C KE
MEM_D Q1
MEM_R A3
MEM_R A4
MEM_BA1
C5119
3N3 50V